Диоды с барьером Шоттки на основе термостойких контактов Ir-GaAs и Pt/Ir-GaAs, созданных электрохимическим осаждением

Авторы: Божков В. Г., Бекезина Т. П., Бурмистрова В. А.

Аннотация: Работа посвящена исследованию термической устойчивости контактов Ir-GaAs и Pt/Ir-GaAs, полученных электрохимическим осаждением с использованием технологии, разработанной авторами. Выбор металлизации обусловлен целым рядом причин, о которых сказано ниже. Одна из важнейших – повышенная термическая устойчивость контактов, которая делает их перспективными для силовых приборов полупроводниковой электроники в широком диапазоне частот. Исследовались прямые и обратные вольт-амперные характеристики (ВАХ) контактов в диапазоне диаметров от 500 до 5 мкм и их параметры: показатель идеальности ВАХ n, измеряемая и эффективная высоты барьера Ф bm и Ф bl , обратное напряжение. Показано, что защита иридия тонким слоем Pt повышает его термическую устойчивость. Необходимо отметить необычно более высокую термическую устойчивость контактов с малым диаметром.

Ключевые слова: арсенид галлия, иридий, электрохимическое осаждение, вольт-амперная характеристика, термическая стабильность, показатель идеальности, высота барьера

Библиография статьи: Божков В. Г. Диоды с барьером Шоттки на основе термостойких контактов Ir-GaAs и Pt/Ir-GaAs, созданных электрохимическим осаждением / В. Г. Божков, Т. П. Бекезина, В. А. Бурмистрова // Доклады ТУСУР. – 2022. – Т. 25, № 1. – С. 48–52. DOI: 10.21293/1818-0442-2021-25-1-48-52