Моделирование диодов с барьером Шоттки для применения в монолитных интегральных схемах СВЧ

Авторы: Дроздов А. В., Данилов Д. С., Юнусов И. В., Гошин Г. Г.

Аннотация: Представлена широкополосная модель диода, разработанная на основе диодов с барьером Шоттки, выполненных по технологии монолитных интегральных схем на подложке из арсенида галлия (GaAs), для применения в диапазоне частот до 67 ГГц. Приведены результаты измерений, необходимые для восстановления малосигнальной модели диода, и экстракция нелинейных параметров SPICE-модели диода, а именно: вольт-амперные характеристики, вольт-фарадные характеристики, S-параметры при нулевом смещении на диоде. Для исключения паразитных параметров контактных площадок экспериментальные данные были обработаны методом L2L. Особенностью представленной модели является сочетание двух методов моделирования диода: электромагнитная модель для пассивных элементов диода и нелинейная SPICE-модель для моделирования перехода полупроводник–металл. Комбинирование методов моделирования позволяет более полно описать частотные зависимости паразитных элементов топологии диода. Приведены результаты применения модели диода при проектировании умножителя частоты диапазона 20–50 ГГц.

Ключевые слова: малосигнальная модель, умножитель частоты, мис, диод шоттки

Библиография статьи: Дроздов А. В. Моделирование диодов с барьером Шоттки для применения в монолитных интегральных схемах СВЧ / А. В. Дроздов [и др.] // Доклады ТУСУР. – 2018. – Т. 21, № 1. – С. 28–31. DOI: 10.21293/1818-0442-2018-21-1-28-31