Математическая модель шума в поликристаллическом n-CdSe

Авторы: Давыдов В. Н., Харитонов С. В.

Аннотация: На основе анализа экспериментальных зависимостей дисперсии шума полупроводникового фоторезистора от напряжения смещения и мощности засветки построено математическое выражение, описывающее шумовое напряжение на поликристаллическом n-CdSe, справедливое в широком диапазоне смещений и мощностей засветок. Показано, что шумовые свойства n-CdSe могут быть интерпретированы как результат сложения дисперсий флуктуаций ЭДС двух независимых источников флуктуаций, параметры которых меняются линейно с ростом напряжения смещения и по модифицированному закону Гаусса в зависимости от мощности засветки. Дана физическая интерпретация построенной модели.

Ключевые слова: математическая модель, шум, модифицированное распределение гаусса, фоновая засветка

Библиография статьи: Давыдов В. Н. Математическая модель шума в поликристаллическом n-CdSe / В. Н. Давыдов, С. В. Харитонов // Доклады ТУСУР. – 2017. – Т. 20, № 1. – С. 53–56. DOI: 10.21293/1818-0442-2017-20-1-53-56