Математическая модель шума в поликристаллическом n-CdSe

Скачать текст статьи в формате PDF

Авторы: Давыдов В. Н., Харитонов С. В.

Аннотация: На основе анализа экспериментальных зависимостей дисперсии шума полупроводникового фоторезистора от напряжения смещения и мощности засветки построено математическое выражение, описывающее шумовое напряжение на поликристаллическом n-CdSe, справедливое в широком диапазоне смещений и мощностей засветок. Показано, что шумовые свойства n-CdSe могут быть интерпретированы как результат сложения дисперсий флуктуаций ЭДС двух независимых источников флуктуаций, параметры которых меняются линейно с ростом напряжения смещения и по модифицированному закону Гаусса в зависимости от мощности засветки. Дана физическая интерпретация построенной модели.

Ключевые слова: фоновая засветка, модифицированное распределение гаусса, шум, математическая модель

Библиография статьи: Давыдов В. Н. Математическая модель шума в поликристаллическом n-CdSe / В. Н. Давыдов, С. В. Харитонов // Доклады ТУСУР. – 2017. – Т. 20, № 1. – С. 53–56. DOI: 10.21293/1818-0442-2017-20-1-53-56

Масленников Виктор Николаевич

Ответственный секретарь редакции журнала

  634050, г. Томск, пр. Ленина, 40, МК, каб. 310/2

  (3822) 51-21-21, внутр.: 1460

  vnmas@tusur.ru