Неквазистатическая модель диода с учетом токов экстракции и рекомбинации неравновесных носителей заряда

Аннотация: Рассмотрена неквазистатическая компьютерная модель диода, реализованная в САПР на пользовательском уровне из квазистатических элементов и учитывающая все основные аспекты динамики неравновесных носителей заряда при переключении диода. Изложена методика экстракции всех значимых параметров данной модели. Показано высокое качество модели в отношении диодов с накоплением заряда, в том числе экспериментальных (в которых рекомбинационный ток обратного восстановления необычно велик).

Ключевые слова: полупроводниковый диод, неквазистатическая модель, рекомбинационный ток, диод с накоплением заряда