Неквазистатическая модель диода с учетом токов экстракции и рекомбинации неравновесных носителей заряда

Авторы: Семенов Э. В., Малаховский О. Ю., Божков В. Г.

Аннотация: Рассмотрена неквазистатическая компьютерная модель диода, реализованная в САПР на пользовательском уровне из квазистатических элементов и учитывающая все основные аспекты динамики неравновесных носителей заряда при переключении диода. Изложена методика экстракции всех значимых параметров данной модели. Показано высокое качество модели в отношении диодов с накоплением заряда, в том числе экспериментальных (в которых рекомбинационный ток обратного восстановления необычно велик).

Ключевые слова: полупроводниковый диод, неквазистатическая модель, рекомбинационный ток, диод с накоплением заряда

Библиография статьи: Семенов Э. В. Неквазистатическая модель диода с учетом токов экстракции и рекомбинации неравновесных носителей заряда / Э. В. Семенов, О. Ю. Малаховский, В. Г. Божков // Доклады ТУСУР. – 2019. – Т. 22, № 4. – С. 26–32. DOI: 10.21293/1818-0442-2019-22-4-26-32