Импульсные характеристики наноструктур металл–диэлектрик–металл
DOI: 10.21293/1818-0442-2018-21-4-17-20
DOI: 10.21293/1818-0442-2018-21-4-17-20
Аннотация: Рассмотрены импульсные характеристики тонкоплёночной наноструктуры на основе пленки оксинитрида кремния, указывающие на мемристорные свойства наноструктуры. Исследованы ВАХ и переключения структур из состояния высокого сопротивления в состояние высокой проводимости в импульсном режиме. Установлено, что переключение высокого сопротивления в высокую проводимость осуществляется за более длительный промежуток времени по сравнению с переключением из высокой проводимости в высокое сопротивление. Между состояниями высокого сопротивления и высокой проводимости возможно состояние с промежуточной проводимостью.
Ключевые слова: тонкопленочная наноструктура, металл–диэлектрик–металл, импульсные характеристики, мемристорные свойства
Авторы и правообладатели:
—
Библиография статьи:
Троян П. Е. Импульсные характеристики наноструктур металл–диэлектрик–металл / П. Е. Троян, В. И. Зеленский, В. В. Каранский // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. – 2018. – Т. 21, № 4. – С. 17–20. DOI: 10.21293/1818-0442-2018-21-4-17-20