Применение принципов кристаллофизики к решению задач оптоэлектроники

Авторы: Давыдов В. Н., Олейник В. Л.

Аннотация: Предлагается при решении задач оптоэлектроники использовать подход к оценке наблюдаемости заданного физического свойства кристалла, основанный на использовании принципов кристаллофизики. Данный подход продемонстрирован на примере задачи повышения эффективности светодиодных гетероструктур с множественными квантовыми ямами (MQW), достигаемого за счет переориентации вектора спонтанной поляризации в кристаллах точечной симметрии 6mm типа InGaN/GaN. Показано, что приложение к кристаллу упругого напряжения различной точечной симметрии или постоянного магнитного поля в определенных кристаллографических направлениях открепляет вектор спонтанной поляризации от главной оси симметрии кристалла, тем самым допуская его произвольную ориентацию в кристаллографической системе координат, что в итоге должно уменьшить негативное влияние спонтанной поляризации на излучающие свойства кристалла.

Ключевые слова: точечная группа симметрии, принцип неймана, принцип кюри, светодиодная гетероструктура, магнитное поле, спонтанная поляризация, пироэлектрический эффект, пьезоэлектрический эффект

Библиография статьи: Давыдов В. Н. Применение принципов кристаллофизики к решению задач оптоэлектроники / В. Н. Давыдов, В. Л. Олейник // Доклады ТУСУР. – 2013. – № 4(30). – С. 67–70.