Пиро- и пьезоэффекты в светодиодной MQW-гетероструктуре

Авторы: Давыдов В. Н., Олейник В. Л.

Аннотация: Проанализированы основные механизмы формирования поля внутренней поляризации в гетероструктурах InGaN/GaN. Методами тензорного исчисления произведен расчет основных составляющих поля поляризации внутри слоев гетероструктуры. Предложено компенсировать внутреннюю поляризацию приложением к боковым граням гетероструктуры упругого напряжения, которое за счет прямого пьезоэффекта создаст электрическое поле равной величины и противоположного направления. Рассчитана величина требуемого упругого напряжения от внешнего источника.

Ключевые слова: пироэффект, гетероструктура ingan/gan, прямой и обратный пьезоэффект, внешнее компенсирующее упругое напряжение

Библиография статьи: Давыдов В. Н. Пиро- и пьезоэффекты в светодиодной MQW-гетероструктуре / В. Н. Давыдов, В. Л. Олейник // Доклады ТУСУР. – 2013. – № 4(30). – С. 71–75.