Пиро- и пьезоэффекты в светодиодной MQW-гетероструктуре

Аннотация: Проанализированы основные механизмы формирования поля внутренней поляризации в гетероструктурах InGaN/GaN. Методами тензорного исчисления произведен расчет основных составляющих поля поляризации внутри слоев гетероструктуры. Предложено компенсировать внутреннюю поляризацию приложением к боковым граням гетероструктуры упругого напряжения, которое за счет прямого пьезоэффекта создаст электрическое поле равной величины и противоположного направления. Рассчитана величина требуемого упругого напряжения от внешнего источника.

Ключевые слова: пироэффект, гетероструктура ingan/gan, прямой и обратный пьезоэффект, внешнее компенсирующее упругое напряжение