Аннотация: Приводятся данные по изучению механизмов электропроводности полупроводниковых пленок ITO, напыленных методом реактивного магнетронного распыления на стеклянные подложки с последующим высокотемпературным отжигом и без него. Установлено, что высокотемпературный отжиг пленок ITO сразу же после напыления способствует увеличению электропроводности за счет повышения кристалличности пленки и полной активации легирующей примеси. Оба эффекта приводят к снижению удельного поверхностного сопротивления более чем в 20 раз. Установлено, что в пленках ITO в интервале низких температур доминирующим является механизм проводимости Мотта.
Ключевые слова: tco, ito, электропроводность, энергия активации, электропроводность мотта
Авторы и правообладатели:
—
Библиография статьи:
Сахаров Ю. В. Исследование механизмов электропроводности пленок оксида индия, легированного оловом / Ю. В. Сахаров, П. Е. Троян, Ю. С. Жидик // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. – 2015. – № 3(37). – С. 85–88.