Аннотация: Выполнено моделирование микрополосковой линии с полигонами на разных слоях. Вычислены её волновое сопротивление и погонная задержка. Установлено, что наличие полигонов, может уменьшить волновое сопротивление линии на несколько процентов. Выявлено, что наличие полигона на верхнем слое уменьшает задержку, а на среднем и нижнем – увеличивает.
Ключевые слова: микрополосковая линия, волновое сопротивление, задержка, компьютерное моделирование, talgat
Библиография статьи:
Салов В. К. Моделирование микрополосковой линии с полигонами / В. К. Салов, Т. Р. Газизов // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. – 2013. – № 3(29). – С. 162–164.
Авторы и правообладатели:
—