Моделирование микрополосковой линии с полигонами

Скачать текст статьи в формате PDF

Аннотация: Выполнено моделирование микрополосковой линии с полигонами на разных слоях. Вычислены её волновое сопротивление и погонная задержка. Установлено, что наличие полигонов, может уменьшить волновое сопротивление линии на несколько процентов. Выявлено, что наличие полигона на верхнем слое уменьшает задержку, а на среднем и нижнем – увеличивает.

Ключевые слова: микрополосковая линия, волновое сопротивление, задержка, компьютерное моделирование, talgat

Библиография статьи:
Салов В. К. Моделирование микрополосковой линии с полигонами / В. К. Салов, Т. Р. Газизов // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. – 2013. – № 3(29). – С. 162–164.

Авторы и правообладатели:

  • Салов В. К.
  • Газизов Т. Р. , Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск, Россия)

Адрес редакции

  634050, г. Томск, пр. Ленина, 40, МК, каб. 310/2

  (3822) 701-582, внутр.: 1456

  journal@tusur.ru