Пассивная компенсация температурной нестабильности сверхвысокочастотных диодных детекторов мощности

Авторы и правообладатели:

• Нечаев В. Г. , Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск, Россия)
• Загородний А. С. , Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск, Россия)
• Заболоцкий А. М. , Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск, Россия)

• 1. Загородний А.С. Детекторы мощности сигналов СВЧ компании «Микран» / А.С. Загородний, А.В. Черепанов // СВЧ-электроника. – 2016. – № 1. – C. 52–56.
• 2. Калашников С.Г. Электричество: учеб. пособие. – 6-е изд. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2003. – 624 c.
• 3. Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы: учеб. для вузов / В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин. – 4-е изд. – М.: Высшая школа, 1987. – 479 c.
• 4. Malik R.J. et al. Planar-dopded barriers in GaAs by molecular beam epitaxy // Electron Lett. – 1980. – Vol. 16, No. 22. – P. 836–838.
• 5. Юнусов И.В. Разработка и исследование сверхвысокочастотных гетероструктурных GaAs низкобарьерных диодов и монолитных интегральных схем на их основе: дис. … канд. техн. наук: 05.12.07. – Томск, 2017. – 151 c.
• 6. ZB-28. Zero Bias Diode: Preliminary Datasheet. [Электронный ресурс]. – Режим доступа: https://www.micran.ru/upload/iblock/f54/xpl4gwobpu33ozv85k24w04dl48t00a5/ZB-28_V01.0002.pdf (дата обращения: 25.08.2023).
• 7. Загородний А.С. Моделирование диодов с использованием SPICE-параметров / А.С. Загородний, А.В. Дроздов, М.И. Иванова // Радиоэлектроника, электроника и энергетика: XIX Междунар. науч.-техн. конф. студентов и аспирантов: тез. докл.: в 4 т. – Т. 1. – М.: Изд. дом МЭИ, 2013. – 259 c.
• 8. Planar zero bias Schottky diode detector operating in the E-and W-band / M. Hrobak, M. Sterns, M. Schramm, W. Stein, L.P. Schmidt // Microwave Conference (EuMC). – IEEE. – 2013. – P. 179–182.
• 9. Нечаев В.Г. Температурная коррекция широкополосных детекторов мощности на основе низкобарьерных диодов / В.Г. Нечаев, А.И. Добриков, А.С. Загородний // Изв. высш. учеб. завед. России. Радиоэлектроника. – 2018. – № 3. – С. 79–84.
• 10. Каталог «Контрольно-измерительная аппаратура и элементы СВЧ-тракта» // АО «НПФ «Микран». – 2023. – c. [Электронный ресурс]. – Режим доступа: https://www.micran.ru/upload/uf/453/mtrnqdfoiregh7r678571imt389yse2m/C_%D0%9A%D0%98%D0%90_RU_3.52_WEB.pdf (дата обращения: 20.06.2023).
• 11. Diode Detector Simulation using Agilent Technologies EEsof ADS Software, Application Note 1156 // Agilent Technologies, Inc. – 1999. – P. 1–4.
• 12. BTZ-475E Model Details [Электронный ресурс]. – Режим доступа: https://espec.com/na/products/model/btx-475 (дата обращения: 30.08.2023).