Исследование характеристик усилителя распределенного усиления на основе GaAs-полевых транзисторов

Авторы: Гоголев Н. И., Салих А., Брагин Д. С., Дмитриев В. Д.

Аннотация: Усилитель распределенного усиления является актуальным решением при реализации широкополосных усилите-лей в системах беспроводной связи, импульсной и измерительной техники. В настоящей работе было проведено исследование усилителя распределенного усиления на основе GaAs-полевых транзисторов. В работе представлен расчет оптимального количества ячеек усиления, расчет каскодного усилителя распределенного усиления и полу-чена его принципиальная схема, работающая в диапазоне от 2 до 20 ГГц. Также был выполнен предварительный расчет основных характеристик усилителя, на базе которого модель усилителя распределенного усиления была построена и промоделирована в САПР. Помимо этого, в работе были проанализированы изменения коэффициен-та передачи и уровня выходной мощности в точке сжатия на 1 дБ от количества используемых ячеек усиления. Результаты данной работы могут быть использованы при проектировании усилителей распределенного усиления для различных систем в современной электронике.

Ключевые слова: арсенид галлия (gaas), hemt, каскод, уру, широкая полоса частот

Библиография статьи: Гоголев Н. И. Исследование характеристик усилителя распределенного усиления на основе GaAs-полевых транзисторов / Н. И. Гоголев [и др.] // Доклады ТУСУР. – 2023. – Т. 26, № 3. – С. 32–40. DOI: 10.21293/1818-0442-2023-26-3-32-40