Построение параметрических моделей пассивных компонентов СВЧ монолитных интегральных схем с использованием программы Extraction-P

Скачать текст статьи в формате PDF

Авторы: Горяинов А. Е., Добуш И. М., Бабак Л. И.

Аннотация: Представлена методика построения параметрических моделей (ПМ) пассивных компонентов СВЧ монолитных интегральных схем (МИС) в виде эквивалентных схем (ЭС). С использованием программы экстракции параметров ЭС Extraction-P разработаны ПМ полупроводникового GaAs-резистора, МДМ-конденсатора и спиральной катушки индуктивности, изготовленных по технологии PL15-10 компании WIN Semiconductors. Модели интегрированы в программные системы, осуществляющие моделирование и автоматизированный синтез СВЧ МИС.

Ключевые слова: свч монолитные интегральные схемы, пассивные компоненты, эквивалентная схема, экстракция, параметрическая модель

Библиография статьи: Горяинов А. Е. Построение параметрических моделей пассивных компонентов СВЧ монолитных интегральных схем с использованием программы Extraction-P / А. Е. Горяинов, И. М. Добуш, Л. И. Бабак // Доклады ТУСУР. – 2012. – № 2(26). – Ч. 2. – С. 98–103.

Адрес редакции

  634050, г. Томск, пр. Ленина, 40, МК, каб. 310/2

  (3822) 701-582, внутр.: 1456

  journal@tusur.ru

 

Масленников Виктор Николаевич

Ответственный секретарь редакции журнала

  634050, г. Томск, пр. Ленина, 40, МК, каб. 310/2

  (3822) 51-21-21, внутр.: 1460

  vnmas@tusur.ru