☷
- О ТУСУРе
- Абитуриентам
-
Студентам
- Первокурсникам
- Расписание занятий
- Система дистанционного обучения
- Научно-образовательный портал
- Библиотека
- Групповое проектное обучение
- Журнал посещаемости
- Журнал успеваемости
- Клубы по интересам
- Спорт в ТУСУРе
- Профком студентов
- Содействие трудоустройству
- Облачное хранилище ТУСУРа
- Поддержка студенческих семей
- Поддержка участников СВО и их детей
- Многофункциональный центр
- Аспирантам
-
Сотрудникам
- Телефонный справочник
- Расписание занятий
- Система дистанционного обучения
- Научно-образовательный портал
- Библиотека
- Журнал посещаемости
- Журнал успеваемости
- Генератор рабочих программ
- Генератор ОПОП
- Генератор ИПРП
- Показатели эффективности труда ППС
- Спорт в ТУСУРе
- Профком сотрудников
- Облачное хранилище ТУСУРа
- Выпускникам
- Партнёрам
Аннотация: Проведены исследования светодиодных структур InGaN/GaN двух различных дизайнов: классического с 5 квантовыми ямами в качестве активной области и с добавлением слоя AlGaN, с различными конфигурациями активных областей. Показано влияние слоя AlGaN на люминесцентные характеристики структур.
Ключевые слова: светодиод, нитрид галлия, квантовая яма
Авторы и правообладатели:
—
Библиография статьи:
Романов И. С. Светодиодные структуры InGaN/GaN, изготовленные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений / И. С. Романов [и др.] // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. – 2011. – № 2(24). – Ч. 2. – С. 151–153.
-2025-1.jpg)
Адрес редакции
Подписка на обновления
