Светодиодные структуры InGaN/GaN, изготовленные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений

Авторы: Романов И. С., Мармалюк А. А., Войцеховский А. В., Коханенко А. П.

Аннотация: Проведены исследования светодиодных структур InGaN/GaN двух различных дизайнов: классического с 5 квантовыми ямами в качестве активной области и с добавлением слоя AlGaN, с различными конфигурациями активных областей. Показано влияние слоя AlGaN на люминесцентные характеристики структур.

Ключевые слова: светодиод, нитрид галлия, квантовая яма

Библиография статьи: Романов И. С. Светодиодные структуры InGaN/GaN, изготовленные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений / И. С. Романов [и др.] // Доклады ТУСУР. – 2011. – № 2(24). – Ч. 2. – С. 151–153.