Аннотация: Представлены результаты разработки монолитной интегральной схемы (МИС) СВЧ-усилителя миллиметрового диапазона волн на основе гетероструктурной 0,15 мкм GaAs-pHEMTтехнологии PL1510 фирмы Win Semiconductors (Тайвань). Проектирование усилителя было выполнено с помощью методик и программ, основанных на интерактивном визуальном синтезе СВЧ-устройств и цепей.
Ключевые слова: свч-усилитель, монолитные интегральные схемы, w-диапазон, phemtтехнология
Авторы и правообладатели:
—
Библиография статьи:
Черкашин М. В. Проектирование монолитного СВЧ-усилителя миллиметрового диапазона волн / М. В. Черкашин // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. – 2011. – № 2(24). – Ч. 2. – С. 106–111.