Построение и характеристики СВЧ монолитных усилителей мощности на основе полупроводниковых материалов GaAs и GaN

Авторы: Коколов А. А., Черкашин М. В.

Аннотация: Приведен обзор схем построения и характеристик монолитных усилителей мощности (УМ) на основе полупроводниковых материалов GaAs и GaN. Описаны преимущества применения гетероструктурных СВЧ-транзисторов на основе широкозонных материалов. Обзор будет полезен инженерам, занимающихся разработкой СВЧ-устройств.

Ключевые слова: усилитель мощности, монолитная интегральная схема, gaas hemt, gan hemt

Библиография статьи: Коколов А. А. Построение и характеристики СВЧ монолитных усилителей мощности на основе полупроводниковых материалов GaAs и GaN / А. А. Коколов, М. В. Черкашин // Доклады ТУСУР. – 2011. – № 2(24). – Ч. 2. – С. 17–23.