☷
- О ТУСУРе
- Абитуриентам
-
Студентам
- Первокурсникам
- Расписание занятий
- Система дистанционного обучения
- Научно-образовательный портал
- Библиотека
- Групповое проектное обучение
- Журнал посещаемости
- Журнал успеваемости
- Клубы по интересам
- Спорт в ТУСУРе
- Профком студентов
- Содействие трудоустройству
- Облачное хранилище ТУСУРа
- Поддержка студенческих семей
- Поддержка участников СВО и их детей
- Многофункциональный центр
- Аспирантам
-
Сотрудникам
- Телефонный справочник
- Расписание занятий
- Система дистанционного обучения
- Научно-образовательный портал
- Библиотека
- Журнал посещаемости
- Журнал успеваемости
- Генератор рабочих программ
- Генератор ОПОП
- Генератор ИПРП
- Показатели эффективности труда ППС
- Спорт в ТУСУРе
- Профком сотрудников
- Облачное хранилище ТУСУРа
- Выпускникам
- Партнёрам
Аннотация: Приведен обзор схем построения и характеристик монолитных усилителей мощности (УМ) на основе полупроводниковых материалов GaAs и GaN. Описаны преимущества применения гетероструктурных СВЧ-транзисторов на основе широкозонных материалов. Обзор будет полезен инженерам, занимающихся разработкой СВЧ-устройств.
Ключевые слова: усилитель мощности, монолитная интегральная схема, gaas hemt, gan hemt
Авторы и правообладатели:
—
Библиография статьи:
Коколов А. А. Построение и характеристики СВЧ монолитных усилителей мощности на основе полупроводниковых материалов GaAs и GaN / А. А. Коколов, М. В. Черкашин // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. – 2011. – № 2(24). – Ч. 2. – С. 17–23.
-2025-1.jpg)
Адрес редакции
Подписка на обновления
