Анализ электрических свойств фоторезисторов на основе CdSe в условиях фоновой засветки

Авторы: Давыдов В. Н., Гребенников А. С., Мусина И. М.

Аннотация: Получены аналитические выражения для сигнала фотопроводимости и спектральной плотности шумового напряжения, состоящего из всех видов шумов, фоторезистора из CdSe с учетом параметров входной цепи схемы регистрации при действии на полупроводник электрического поля и фоновой засветки. По результатам сравнительного анализа экспериментальных и теоретических зависимостей шума показано, что доминирующим шумом является шум, создаваемый захватом-выбросом и генерацией-рекомбинацией носителей заряда на локализованные состояния в запрещенной зоне полупроводника и связанные с его структурными нарушениями. Построена энергетическая диаграмма фоторезистора. Показано, что существующие физические модели формирования фотопроводимости хорошо объясняют экспериментальные результаты, тогда как для объяснения шумовых свойств фоторезисторов из CdSe необходимо введение в рассмотрение дополнительных механизмов, изменяющих дисперсию числа электронов и дырок под действием напряжения смещения и фоновой засветки.

Ключевые слова: селенид кадмия, фоновая засветка, фотопроводимость, флуктуации заряда, минимум шума, фликкер-шум захвата на хвосты состояний, поверхностные состояния, генерационно-рекомбинационные состояния

Библиография статьи: Давыдов В. Н. Анализ электрических свойств фоторезисторов на основе CdSe в условиях фоновой засветки / В. Н. Давыдов, А. С. Гребенников, И. М. Мусина // Доклады ТУСУР. – 2011. – № 2(24). – Ч. 1. – С. 171–178.