Высокоплотный DC-DC-преобразователь на основе силовых GaN-микросборок для применения в автономных системах электропитания

Авторы и правообладатели:

• Полынцев Е. С. , Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск, Россия)
• Бартенев А. И. , Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск, Россия)
• Кодорова И. Ю. , АО «НПП «Радар ммс», Томский филиал (Томск, Россия)
• Аксёнов А. А. , Институт сильноточной электроники СО РАН (Томск, Россия)
• Кагадей В. А. , Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск, Россия)

• 1. Projecting power converter specific power through 2050 for aerospace applications / C. Hall, C.L. Pastra, A. Burrell, J. Gladin, D.N. Mavris // 2022 IEEE Transportation Electrification Conference & Expo (ITEC). – Anaheim, California: IEEE, 2022. – P. 760–765.
• 2. Development of a high power density drive system for unmanned aerial vehicles / M. Schiestl, F. Marcolini, M. Incurvati, F.G. Capponi, R. Stärz, F. Caricchi // IEEE Transactions on Power Electronics. – 2020. – Vol. 36. – No. 3. – P. 3159–3171.
• 3. Беспалов В. Нитрид галлия: новый подход для эффективного преобразования электроэнергии / В. Беспалов, В. Егоркин, М. Журавлев // Электроника: наука, технология, бизнес. – 2022. – Вып. 3. – С. 150–157.
• 4. Review and outlook on GaN and SiC power devices: Industrial state-of-the-art, applications, and perspectives / M. Buffolo, D. Favero, A. Marcuzzi, C. De Santi, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Meneghini // IEEE Transactions on Electron Devices. – 2024. – Vol. 71, No. 3. – P. 1344–1355.
• 5. Исследование ионной имплантации азота через слой нитрида кремния для межприборной изоляции силовых GaN/Si-транзисторов / В.И. Егоркин, С.В. Оболенский, В.Е. Земляков, А.А. Зайцев, В.И. Гармаш // Письма в Журнал технической физики. – 2021. – Т. 47, № 18. – С. 15–17.
• 6. A review of high-speed GaN power modules: State of the art, challenges, and solutions / A.I. Emon, Mustafeez-ul-Hassan, A.B. Mirza, J. Kaplun, S.S. Vala, F. Luo // IEEE journal of emerging and selected topics in power electronics. – 2022. – Vol. 11, No. 3. – P. 2707–2729.
• 7. High frequency, high efficiency, and high power density GaN-based LLC resonant converter: State-of-the-art and perspectives / S.A. Mortazavizadeh, S. Palazzo, A. Amendola, E. De Santis, D.D. Ruzza, G. Panariello, A. Sanseverino, F. Velardi, G. Busatto // Applied Sciences. – 2021. – Vol. 11, No. 23. – P. 11350.
• 8. Остриров В.Н. Опыт разработки источника питания бортовой сети на перспективной элементной базе / В.Н. Остриров, М.С. Яковенко, Д.В. Репецкий, К.В. Мильский, В.В. Краснов // Вестник МЭИ. – 2020. – № 4. – С. 113–121.
• 9. Design consideration of MHz active clamp flyback converter with GaN devices for low power adapter application / X. Huang, J. Feng, W. Du, F.C. Lee, Q. Li // 2016 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC). – California, USA: IEEE, 2016. – P. 2334–2341.
• 10. Tong Q. Design of a synchronous rectifier flyback DC-DC converter using GaN FETs for commercial aerospace applications // 2020 IEEE 3rd International Conference on Electronics Technology (ICET). – Online: IEEE, 2020. – P. 308–313.
• 11. Bulut Ö. Design and loss analysis of a 200-W GaN based active clamp forward converter / Ö. Bulut, M.T. Aydemir // 2018 5th International Conference on Electrical and Electronic Engineering (ICEEE). – Istanbul, Turkey: IEEE, 2018. – P. 97–100.
• 12. Maqueda M.G. High Efficiency GaN Based Resonant Reset Forward Converter with Synchronous Rectification for Space Applications / M.G. Maqueda, V. Svikovic // 2023 13th European Space Power Conference (ESPC). – Alicante, Spain: IEEE, 2023. – P. 1–8.
• 13. Design and Optimization of 100 V GaN Multi-chip Power Micromodule Based on AlN DBC Substrate / E.S. Polyntsev, I.Y. Kodorova, A.A. Aksenov, V.A. Kagadey // 2024 IEEE 25th International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM). – Altai Republic, Russia: IEEE, 2024. – P. 1180–1184.
• 14. Kodorova I.Y. Thermal Analysis of Packaging Solution for GaN Multi-chip Power Micromodule / I.Y. Kodorova, E.S. Polyntsev, V.A. Kagadey // 2024 IEEE 25th International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM). – Altai Republic, Russia: IEEE, 2024. – P. 1230–1233.
• 15. High Frequency 1 MHz 72 W Forward Converter with Active Clamp and Synchronous Rectifier Based on GaN Multichip Power Micromodules / E.S. Polyntsev, A.I. Bartenev, I.Y. Kodorova, A.A. Aksenov, V.A. Kagadey // 2025 IEEE 26th International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM). – IEEE, 2025. – P. 790–795.