Моделирование параметров гетероструктурного полевого транзистора в среде Silvaco TCAD

Аннотация: Изучены основы приборно-технологического моделирования. Рассчитана и создана модель полевого транзистора, выполненного по pHEMT-технологии. Получены его вольт-амперные характеристики, S-параметры и произведена визуализация подзатворного рецесса. Приведено несколько примеров зависимости параметры транзистора от глубины травления.

Ключевые слова: phemt, травление рецесса, приборно-технологическое моделирование

Библиография статьи:
Ватюк А. А. Моделирование параметров гетероструктурного полевого транзистора в среде Silvaco TCAD / А. А. Ватюк // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. – 2016. – Т. 19, № 1. – С. 69–72.