Линейный фотогальванический эффект в силленитах при облучении фемтосекундными импульсами

Авторы: Ромашко Р. В., Грачев А. И., Камшилин А. А., Голик С. С., Кульчин Ю. Н.

Аннотация: Выполнены экспериментальные исследования фотогальванического (ФГ) эффекта, возникающего в неполярных кристаллах со структурой силленита (Bi 12 TiO 20 и Bi 12 SiO 20 ) при их освещении лазерными импульсами длительностью 100 фс и длиной волны 400 нм. Установлено, что амплитуда импульса ФГ тока линейно зависит от интенсивности излучения в импульсе вплоть до 45 ГВт/см 2 . Экспериментально исследованы зависимости величины фотогальванического отклика от ориентации плоскости поляризации лазерного излучения. Полученные результаты позволяют заключить, что регистрируемые в кристаллах электрические токи генерируются в результате ФГ-эффекта.

Ключевые слова: фотогальванический эффект, ультракороткие световые импульсы, силлениты

Библиография статьи: Ромашко Р. В. Линейный фотогальванический эффект в силленитах при облучении фемтосекундными импульсами / Р. В. Ромашко [и др.] // Доклады ТУСУР. – 2014. – № 1(31). – С. 122–124.