Качественный и количественный анализ пленок нитрида кремния методом ИК-спектроскопии

Скачать текст статьи в формате PDF

Аннотация: Исследовано влияние технологических параметров установки осаждения из газовой фазы в индуктивно-связанной плазме на состав получаемых пленок нитрида кремния с целью выработки оптимального режима для получения стехиометрического Si 3 N 4 .

Ключевые слова: концентрация связей атомов, разложение пиков, технологические параметры осаждения

Авторы и правообладатели:

Библиография статьи:
Кутков И. В. Качественный и количественный анализ пленок нитрида кремния методом ИК-спектроскопии / И. В. Кутков, М. И. Пехтелев // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. – 2014. – № 1(31). – С. 92–94.

Адрес редакции

  634050, г. Томск, пр. Ленина, 40, МК, каб. 310/2

  (3822) 701-582, внутр.: 1456

  journal@tusur.ru