Качественный и количественный анализ пленок нитрида кремния методом ИК-спектроскопии

Авторы: Кутков И. В., Пехтелев М. И.

Аннотация: Исследовано влияние технологических параметров установки осаждения из газовой фазы в индуктивно-связанной плазме на состав получаемых пленок нитрида кремния с целью выработки оптимального режима для получения стехиометрического Si 3 N 4 .

Ключевые слова: концентрация связей атомов, разложение пиков, технологические параметры осаждения

Библиография статьи: Кутков И. В. Качественный и количественный анализ пленок нитрида кремния методом ИК-спектроскопии / И. В. Кутков, М. И. Пехтелев // Доклады ТУСУР. – 2014. – № 1(31). – С. 92–94.