☷
- О ТУСУРе
- Абитуриентам
-
Студентам
- Первокурсникам
- Расписание занятий
- Система дистанционного обучения
- Научно-образовательный портал
- Библиотека
- Групповое проектное обучение
- Журнал посещаемости
- Журнал успеваемости
- Клубы по интересам
- Спорт в ТУСУРе
- Профком студентов
- Содействие трудоустройству
- Облачное хранилище ТУСУРа
- Поддержка студенческих семей
- Поддержка участников СВО и их детей
- Многофункциональный центр
- Аспирантам
-
Сотрудникам
- Телефонный справочник
- Расписание занятий
- Система дистанционного обучения
- Научно-образовательный портал
- Библиотека
- Журнал посещаемости
- Журнал успеваемости
- Генератор рабочих программ
- Генератор ОПОП
- Генератор ИПРП
- Показатели эффективности труда ППС
- Спорт в ТУСУРе
- Профком сотрудников
- Облачное хранилище ТУСУРа
- Выпускникам
- Партнёрам
Аннотация: При совместном использовании формальных аппроксимаций и результатов анализа физических процессов , протекающих в полупроводниковом материале транзисторов с затвором на основе МДП - структуры и барьера Шоттки , получены аналитические функции , описывающие совокупности вольт - амперных характеристик полевых транзисторов . В предложенных функциях учтена полевая зависимость подвижности носителей в кремнии и арсениде галлия .
Авторы и правообладатели:
—
Библиография статьи:
Туев В. И. Учет насыщения дрейфовой скорости носителей при аппроксимации вольт-амперных характеристик полевых транзисторов / В. И. Туев // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. – 2007. – № 1(15). – С. 51–56.
-2025-1.jpg)
Адрес редакции
Подписка на обновления
