Учет насыщения дрейфовой скорости носителей при аппроксимации вольт-амперных характеристик полевых транзисторов

Аннотация: При совместном использовании формальных аппроксимаций и результатов анализа физических процессов , протекающих в полупроводниковом материале транзисторов с затвором на основе МДП - структуры и барьера Шоттки , получены аналитические функции , описывающие совокупности вольт - амперных характеристик полевых транзисторов . В предложенных функциях учтена полевая зависимость подвижности носителей в кремнии и арсениде галлия .

Библиография статьи: Туев В. И. Учет насыщения дрейфовой скорости носителей при аппроксимации вольт-амперных характеристик полевых транзисторов / В. И. Туев // Доклады ТУСУР. – 2007. – № 1(15). – С. 51–56.