Влияние конструктивных и технологических особенностей на статические параметры МИС на GaAs на основе ПТШ с углубленным затвором

Аннотация: Выявлена зависимость статических параметров полевых транзисторов с затвором Шоттки (ПТШ) на GaAs от особенностей топологии и технологии их изготовления. Обнаружено влияние открытых областей омического контакта ПТШ на скорость травления подзатворной области. Этот эффект позволил изготовить монолитные интегральные схемы (МИС) СВЧ на одной пластине GaAs в едином технологическом процессе, которые содержат ПТШ с различными статическими характеристиками.

Ключевые слова: птш, gaas, травление подзатворной области

Библиография статьи: Петрова Т. С. Влияние конструктивных и технологических особенностей на статические параметры МИС на GaAs на основе ПТШ с углубленным затвором / Т. С. Петрова // Доклады ТУСУР. – 2009. – № 1(19). – Ч. 1. – С. 53–57.