☷
- О ТУСУРе
- Абитуриентам
-
Студентам
- Первокурсникам
- Расписание занятий
- Система дистанционного обучения
- Научно-образовательный портал
- Библиотека
- Групповое проектное обучение
- Журнал посещаемости
- Журнал успеваемости
- Клубы по интересам
- Спорт в ТУСУРе
- Профком студентов
- Содействие трудоустройству
- Облачное хранилище ТУСУРа
- Поддержка студенческих семей
- Поддержка участников СВО и их детей
- Многофункциональный центр
- Аспирантам
-
Сотрудникам
- Телефонный справочник
- Расписание занятий
- Система дистанционного обучения
- Научно-образовательный портал
- Библиотека
- Журнал посещаемости
- Журнал успеваемости
- Генератор рабочих программ
- Генератор ОПОП
- Генератор ИПРП
- Показатели эффективности труда ППС
- Спорт в ТУСУРе
- Профком сотрудников
- Облачное хранилище ТУСУРа
- Выпускникам
- Партнёрам
Аннотация: Раствор-расплавным методом выращены высокоомные кристаллы KTP. Исследованы электропроводность и электрооптические коэффициенты выращенных кристаллов. Измеренная электропроводность составляла σ = 2·10^–12 Ом^–1см^–1.
Ключевые слова: кристаллы ktp, высокоомный ktp, электропроводность, электрооптический коэффициент
Библиография статьи:
Паргачёв И. А. Получение и электрофизические свойства кристаллов GTR-KTP / И. А. Паргачёв [и др.] // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. – 2011. – № 2(24). – Ч. 2. – С. 119–123.
Авторы и правообладатели:
- Паргачёв И. А.
- Кулешов Ю. В.
- Краковский В. А.
- Серебренников Л. Я.
- Мандель А. Е. , Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (Томск, Россия)
- Шандаров С. М.
- Пуговкин А. В.
- Шварцман Г. И.
—
-2026-1_%D0%BA%D0%BE%D0%BF%D0%B8%D1%8F.jpg)
Адрес редакции
Подписка на обновления
