Получение и электрофизические свойства кристаллов GTR-KTP

Скачать текст статьи в формате PDF

Авторы: Паргачёв И. А., Кулешов Ю. В., Краковский В. А., Серебренников Л. Я., Мандель А. Е., Шандаров С. М., Пуговкин А. В., Шварцман Г. И.

Аннотация: Раствор-расплавным методом выращены высокоомные кристаллы KTP. Исследованы электропроводность и электрооптические коэффициенты выращенных кристаллов. Измеренная электропроводность составляла σ = 2·10^–12 Ом^–1см^–1.

Ключевые слова: кристаллы ktp, высокоомный ktp, электропроводность, электрооптический коэффициент

Библиография статьи: Паргачёв И. А. Получение и электрофизические свойства кристаллов GTR-KTP / И. А. Паргачёв [и др.] // Доклады ТУСУР. – 2011. – № 2(24). – Ч. 2. – С. 119–123.