Методика расчета теплопереноса в светоизлучающих диодах на основе GaN Представлены

Авторы: Романовский М. Н., Еханин С. Г.

Аннотация: Представлены электрическая и тепловая двумерные распределенные модели светоизлучающих диодов с мелким приповерхностным дефектом треугольной и прямоугольной формы. Приведены обсуждения полученных результатов.

Ключевые слова: сверхъяркие светоизлучающие диоды на основе gan, модели и расчеты теплопереноса, температурные поля

Библиография статьи: Романовский М. Н. Методика расчета теплопереноса в светоизлучающих диодах на основе GaN Представлены / М. Н. Романовский, С. Г. Еханин // Доклады ТУСУР. – 2011. – № 2(24). – Ч. 2. – С. 47–51.