Аннотация: Представлены электрическая и тепловая двумерные распределенные модели светоизлучающих диодов с мелким приповерхностным дефектом треугольной и прямоугольной формы. Приведены обсуждения полученных результатов.
Ключевые слова: сверхъяркие светоизлучающие диоды на основе gan, модели и расчеты теплопереноса, температурные поля
Авторы и правообладатели:
—
Библиография статьи:
Романовский М. Н. Методика расчета теплопереноса в светоизлучающих диодах на основе GaN Представлены / М. Н. Романовский, С. Г. Еханин // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. – 2011. – № 2(24). – Ч. 2. – С. 47–51.