Оценка локального перегрева в гетероструктуре светоизлучающего диода на основе GaN

Скачать текст статьи в формате PDF

Авторы: Еханин С. Г., Романовский М. Н., Томашевич А. А.

Аннотация: Предлагается метод оценки локального перегрева светоизлучающего диода. В основу расчета положено аналитическое решение уравнения теплопроводности для случая цилиндрического теплового шнура в бесконечной среде.

Ключевые слова: электролюминесценция, гетероструктура, локальный перегрев, нитрид галлия

Библиография статьи: Еханин С. Г. Оценка локального перегрева в гетероструктуре светоизлучающего диода на основе GaN / С. Г. Еханин, М. Н. Романовский, А. А. Томашевич // Доклады ТУСУР. – 2012. – № 2(26). – Ч. 1. – С. 57–60.

Масленников Виктор Николаевич

Ответственный секретарь редакции журнала

  634050, г. Томск, пр. Ленина, 40, МК, каб. 310/2

  (3822) 51-21-21, внутр.: 1460

  vnmas@tusur.ru