Оценка локального перегрева в гетероструктуре светоизлучающего диода на основе GaN

Аннотация: Предлагается метод оценки локального перегрева светоизлучающего диода. В основу расчета положено аналитическое решение уравнения теплопроводности для случая цилиндрического теплового шнура в бесконечной среде.

Ключевые слова: электролюминесценция, гетероструктура, локальный перегрев, нитрид галлия

Библиография статьи:
Еханин С. Г. Оценка локального перегрева в гетероструктуре светоизлучающего диода на основе GaN / С. Г. Еханин, М. Н. Романовский, А. А. Томашевич // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. – 2012. – № 2(26). – Ч. 1. – С. 57–60.