Копланарный монолитный усилитель Ka-диапазона на основе отечественной GaAs наногетероструктурной технологии

Скачать текст статьи в формате PDF

Авторы: Добуш И. М., Коколов А. А., Дмитриенко К. С., Сальников А. С., Федоров Ю. В., Черкашин М. В., Шеерман Ф. И., Бабак Л. И.

Аннотация: Описывается разработка однокаскадного копланарного монолитного усилителя Ka-диапазона на основе отечественной наногетероструктурной 0,15 мкм GaAs mHEMT-технологии. Рассматриваются основные этапы разработки, включая построение нелинейной модели транзистора, создание библиотеки моделей элементов, проектирование усилителя с помощью интерактивных «визуальных» методов.

Ключевые слова: копланарный усилитель, свч монолитные интегральные схемы, модели элементов

Библиография статьи: Добуш И. М. Копланарный монолитный усилитель Ka-диапазона на основе отечественной GaAs наногетероструктурной технологии / И. М. Добуш [и др.] // Доклады ТУСУР. – 2010. – № 1(21). – Ч. 2. – С. 55–62.

Адрес редакции

  634050, г. Томск, пр. Ленина, 40, МК, каб. 310/2

  (3822) 701-582, внутр.: 1456

  journal@tusur.ru

 

Масленников Виктор Николаевич

Ответственный секретарь редакции журнала

  634050, г. Томск, пр. Ленина, 40, МК, каб. 310/2

  (3822) 51-21-21, внутр.: 1460

  vnmas@tusur.ru