Аннотация: Описывается разработка однокаскадного копланарного монолитного усилителя Ka-диапазона на основе отечественной наногетероструктурной 0,15 мкм GaAs mHEMT-технологии. Рассматриваются основные этапы разработки, включая построение нелинейной модели транзистора, создание библиотеки моделей элементов, проектирование усилителя с помощью интерактивных «визуальных» методов.
Ключевые слова: копланарный усилитель, свч монолитные интегральные схемы, модели элементов
Авторы и правообладатели:
—
Библиография статьи:
Добуш И. М. Копланарный монолитный усилитель Ka-диапазона на основе отечественной GaAs наногетероструктурной технологии / И. М. Добуш [и др.] // Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. – 2010. – № 1(21). – Ч. 2. – С. 55–62.